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DPLS350E-13 - Diodes Incorporated

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-DPLS350E-13

Hersteller Teil #: DPLS350E-13

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: Diodes Incorporated

Beschreibung: Trans GP BJT PNP 50V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R

Verpackung: TO-261-4, TO-261AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

DPLS350E-13 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

15 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Number of Pins

Weight

7.994566mg

Transistor Element Material

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

Power Dissipation (Max)

Number of Elements

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Published

2009

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Frequency

100MHz

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

DPLS350

Element Configuration

Single

Power Dissipation

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Application

SWITCHING

Polarity/Channel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Collector Emitter Voltage (VCEO)

50V

Max Collector Current

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A 2V

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA ICBO

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 200mA, 2A

Transition Frequency

100MHz

Max Breakdown Voltage

50V

Collector Base Voltage (VCBO)

60V

Emitter Base Voltage (VEBO)

-6V

Height

1.65mm

Length

6.7mm

Width

3.7mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
DPLS350E-13	TO-261-4, TO-261AA	Trans GP BJT PNP 50V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
FZT790A	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 40V 3A SOT223
DJT4030P-13	TO-261-4, TO-261AA	DIODES INC. DJT4030P-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE
NZT660	TO-261-4, TO-261AA	Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
NZT660A	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 60V 3A SOT223

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Trans GP BJT PNP 50V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R

Verpackung: TO-261-4, TO-261AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 57300 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.54197

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.54197
10+:	$0.51130
100+:	$0.48235
500+:	$0.45505
1000+:	$0.42929

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